LED燈的生產(chǎn)工藝流程
在生產(chǎn)LED燈時(shí)，要注意一些技術(shù)手段，下面我們就來(lái)看一下具體的生產(chǎn)工藝流程。
LED照明能夠應(yīng)用到高亮度領(lǐng)域歸功于LED芯片生產(chǎn)技術(shù)的不斷提高，包括單顆晶片的功率和亮度的提高。LED上游生產(chǎn)技術(shù)是LED行業(yè)的核心技術(shù)，目前在該技術(shù)領(lǐng)先的國(guó)家主要日本、美國(guó)、韓國(guó)，還有我國(guó)臺(tái)灣，而我國(guó)大陸在LED上游生產(chǎn)技術(shù)的發(fā)展比較靠后。
藍(lán)光外延片微結(jié)構(gòu)圖
生產(chǎn)出高亮度LED芯片，一直是世界各國(guó)全力投入研制的目標(biāo)，也是LED發(fā)的方向。目前，利用大功率芯片生產(chǎn)出來(lái)的白光1W LED流明值已經(jīng)達(dá)能到150lm之高。LED上游技術(shù)的發(fā)展將使LED燈具的生產(chǎn)成本越來(lái)越低，更顯LED照明的優(yōu)勢(shì)。以下以藍(lán)光LED為例介紹其外延片生產(chǎn)工藝如下：首先在襯低上制作氮化鎵(GaN)基的外延片,這個(gè)過(guò)程主要是在金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積外延片爐(MOCVD)中完成的。準(zhǔn)備好制作GaN基外延片所需的材料源和各種高純的氣體之后，按照工藝的要求就可以逐步把外延片做好。常用的襯底主要有藍(lán)寶石、碳化硅和硅襯底,以及GaAs、AlN、ZnO等材料。
MOCVD是利用氣相反應(yīng)物(前驅(qū)物)及Ⅲ族的有機(jī)金屬和Ⅴ族的NH3在襯底表面進(jìn)行反應(yīng),將所需的產(chǎn)物沉積在襯底表面。通過(guò)控制溫度、壓力、反應(yīng)物濃度和種類(lèi)比例，從而控制鍍膜成分、晶相等品質(zhì)。MOCVD外延爐是制作LED外延片最常用的設(shè)備，然后是對(duì)LED PN結(jié)的兩個(gè)電極進(jìn)行加工，電極加工也是制作LED芯片的關(guān)鍵工序，包括清洗、蒸鍍、黃光、化學(xué)蝕刻、熔合、研磨;然后對(duì)LED毛片進(jìn)行劃片、測(cè)試和分選，就可以得到所需的LED芯片了。
LED燈的生產(chǎn)工藝并不復(fù)雜，在生產(chǎn)中，要注重相關(guān)的工序才能生產(chǎn)出好的LED燈。
